我院教师参与国际科研团队成功开发五纳米存储元器件

编辑：张静时间：2018-09-05点击数：

据科技日报8月23日援引物理学家组织网的报道，我院董凯锋教授参与的，由华中科技大学、中国地质大学和美国加州大学伯克利分校科研人员组成的国际团队，成功开发出小于7纳米的新型存储元器件——平均直径为5纳米的磁铁。由于尺寸小、热稳定性高，以及可以应用于简单的自组装工艺制造，这种纳米磁铁被认为是下一代存储器件具有超高密度和低功耗的关键，其数据保留时间可以超过10年。相关论文发表在最近一期《应用物理快报》上。

该项新研究，纳米磁铁具有可以进行自组装，只涉及简单的溅射工艺，不需要涉及复杂且昂贵的图案化工艺。目前，该团队正致力于研究以可靠的方式来控制设备尺寸。